Effects of N2 Plasma Pretreatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT

Romero Rojo, Fátima; Jiménez, A.; Sánchez, José M.; Braña, A.F.; González-Posada Flores, Fernando; Cuerdo Bragado, Roberto; Calle Gómez, Fernando y Muñoz Merino, Elias (2008). Effects of N2 Plasma Pretreatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT. "IEEE Electron Device Letters", v. 29 (n. 3); pp. 209-211. ISSN 0741-3106. https://doi.org/10.1109/LED.2008.915568.

Descripción

Título: Effects of N2 Plasma Pretreatment on the SiN Passivation of AlGaN/GaN HEMT
Autor/es:
  • Romero Rojo, Fátima
  • Jiménez, A.
  • Sánchez, José M.
  • Braña, A.F.
  • González-Posada Flores, Fernando
  • Cuerdo Bragado, Roberto
  • Calle Gómez, Fernando
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: IEEE Electron Device Letters
Fecha: Marzo 2008
Volumen: 29
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Grupo Investigación UPM: AlGaN-GaN HEMT MIS devices current-collapse gate-lag effects high-electron mobility transistors plasma pretreatment silicon-nitride deposition silicon-nitride passivation
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The impact of in situ low-power plasma pretreatment, prior to silicon-nitride (SiN) deposition, was investigated in AlGaN/GaN high-electron mobility transistors (HEMTs). These studies reveal that the use of plasma in HEMT passivation reduces current-collapse and gate-lag effects. Such treatment is also beneficial to improve gate leakage, and from RF measurements, no degradation of was observed. These beneficial effects of the plasma pretreatment seem to be due to a significant reduction in interface charge density, as shown in this letter using GaN MIS devices, where a decrease of 60% was observed.

Más información

ID de Registro: 2020
Identificador DC: http://oa.upm.es/2020/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2020
Identificador DOI: 10.1109/LED.2008.915568
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 21 Dic 2009 09:28
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 11:49
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