Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures

Pandey, Saurabh; Cavalcoli, Daniela; Fraboni, Beatrice; Cavallini, Anna; Brazzini, Tommaso y Calle Gómez, Fernando (2012). Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures. "Applied Physics Letters", v. 100 (n. 15); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4703938.

Descripción

Título: Role of surface trap states on two-dimensional electron gas density in InAlN/AlN/GaN heterostructures
Autor/es:
  • Pandey, Saurabh
  • Cavalcoli, Daniela
  • Fraboni, Beatrice
  • Cavallini, Anna
  • Brazzini, Tommaso
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Abril 2012
Volumen: 100
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

In order to clarify the effect of charged dislocations and surface donor states on the transport mechanisms in polar AlInN/AlN/GaN heterostructures, we have studied the current-voltage characteristics of Schottky junctions fabricated on AlInN/AlN/GaN heterostructures. The reverse-bias leakage current behaviour has been interpreted with a Poole-Frenkel emission of electrons from trap states near the metal-semiconductor junction to dislocation induced states. The variation of the Schottky barrier height as a function of the AlN layer thickness has been measured and discussed, considering the role of the surface states in the formation of the two dimensional electron gas at AlN/GaN interface.

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ID de Registro: 22315
Identificador DC: http://oa.upm.es/22315/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:22315
Identificador DOI: 10.1063/1.4703938
URL Oficial: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/100/15/10.1063/1.4703938
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 09 Feb 2014 08:20
Ultima Modificación: 22 Sep 2014 11:30
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