In-situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction

Fernández-Garrido, Sergio; Koblmüller, Gregor; Calleja Pardo, Enrique y Speck, James S. (2008). In-situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction. "Journal of Applied Physics", v. 104 (n. 3); pp.. ISSN 0021-8979. https://doi.org/10.1063/1.2968442.

Descripción

Título: In-situ GaN decomposition analysis by quadrupole mass spectrometry and reflection high-energy electron diffraction
Autor/es:
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Koblmüller, Gregor
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Speck, James S.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Agosto 2008
Volumen: 104
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Thermal decomposition of wurtzite (0001)-oriented GaN was analyzed: in vacuum, under active N exposure, and during growth by rf plasma-assisted molecular beam epitaxy. The GaN decomposition rate was determined by measurements of the Ga desorption using in situ quadrupole mass spectrometry, which showed Arrhenius behavior with an apparent activation energy of 3.1 eV. Clear signatures of intensity oscillations during reflection high-energy electron diffraction measurements facilitated complementary evaluation of the decomposition rate and highlighted a layer-by-layer decomposition mode in vacuum. Exposure to active nitrogen, either under vacuum or during growth under N-rich growth conditions, strongly reduced the GaN losses due to GaN decomposition.

Más información

ID de Registro: 2586
Identificador DC: http://oa.upm.es/2586/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2586
Identificador DOI: 10.1063/1.2968442
URL Oficial: http://jap.aip.org/japiau/v104/i3
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Mar 2010 12:50
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:14
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