Composition and luminiscence of AllnGaNAN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Bejtka, K.; Edwards, P.R.; Martin, R.W; Fernández-Garrido, Sergio y Calleja Pardo, Enrique (2008). Composition and luminiscence of AllnGaNAN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy. "Journal of Applied Physics", v. 104 (n. 7); pp.. ISSN 0021-8979. https://doi.org/10.1063/1.2993549.

Descripción

Título: Composition and luminiscence of AllnGaNAN layers grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Autor/es:
  • Bejtka, K.
  • Edwards, P.R.
  • Martin, R.W
  • Fernández-Garrido, Sergio
  • Calleja Pardo, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Octubre 2008
Volumen: 104
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A study of AlInGaN epilayers, grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy, was performed using spatially resolved x-ray microanalysis and luminescence spectroscopy in order to investigate competition between the incorporation of In, Al, and Ga as a function of the growth temperature in the 565–660 °C range and the nominal AlN mole fraction. The samples studied have AlN and InN mole fractions in the ranges of 4%–30% and 0%–16%, respectively. Composition measurements show the effect of decreasing temperature to be an increase in the incorporation of InN, accompanied by a small but discernible decrease in the ratio of GaN to AlN mole fractions. The incorporation of In is also shown to be significantly increased by decreasing the Al mole fraction. Optical emission peaks, observed by cathodoluminescence mapping and by photoluminescence, provide further information on the epilayer compositions as a function of substrate temperature, and the dependencies of peak energy and linewidth are plotted

Más información

ID de Registro: 2741
Identificador DC: http://oa.upm.es/2741/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:2741
Identificador DOI: 10.1063/1.2993549
URL Oficial: http://jap.aip.org/japiau/v104/i7
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 29 Mar 2010 08:15
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 12:25
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