Silicon oxides as alignment surfaces for vertically-aligned nematics in photonic devices

Otón Martínez, Eva; López Andrés, Sol; Bennis, Noureddine; Otón Sánchez, José Manuel y Geday, Morten Andreas (2014). Silicon oxides as alignment surfaces for vertically-aligned nematics in photonic devices. "Opto-Electronics Review", v. 22 (n. 2); pp. 92-100. ISSN 1230-3402. https://doi.org/10.2478/s11772-014-0182-2.

Descripción

Título: Silicon oxides as alignment surfaces for vertically-aligned nematics in photonic devices
Autor/es:
  • Otón Martínez, Eva
  • López Andrés, Sol
  • Bennis, Noureddine
  • Otón Sánchez, José Manuel
  • Geday, Morten Andreas
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Opto-Electronics Review
Fecha: Junio 2014
Volumen: 22
Materias:
Palabras Clave Informales: SiOx, SiO2, silicon oxides, vertically aligned nematics, photonic devices, morphology characterization
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Fotónica y Bioingeniería
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

A comparative study on alignment performance and microstructure of inorganic layers used for liquid crystal cell conditioning has been carried out. The study has focused on two specific materials, SiOx and SiO2, deposited under different conditions. The purpose was to establish a relationship between layer microstructure and liquid crystal alignment. The surface morphology has been studied by FESEM and AFM. An analysis on liquid crystal alignment, pretilt angle, response time, contrast ratio and the conditions to develop backflow effect (significant rise time increase due to pure homeotropic alignment) on vertically-aligned nematic cells has been carried out. A technique to overcome the presence of backflow has been identified. The full comparative study of SiOx and SiO2 layer properties and their influence over liquid crystal alignment and electrooptic response is presented.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaTEC 2008-00147Sin especificarSin especificarSin especificar
Comunidad de MadridS2009/ESP-1781Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 37378
Identificador DC: http://oa.upm.es/37378/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:37378
Identificador DOI: 10.2478/s11772-014-0182-2
URL Oficial: http://link.springer.com/article/10.2478%2Fs11772-014-0182-2
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 02 Sep 2015 16:34
Ultima Modificación: 02 Sep 2015 16:34
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