Monolithic master oscillator power amplifier at 1.58 µm for lidar measurements

Vilera Suárez, Mariafernanda; Krakowski, M.; Robert, Y.; Vinet, E.; Primiani, P.; Le Goëc, J.P.; Parillaud, O.; van Dijk, F.; Vilera, M.; Consoli Barone, Antonio; Garcia Tijero, Jose Manuel y Esquivias Moscardo, Ignacio (2014). Monolithic master oscillator power amplifier at 1.58 µm for lidar measurements. En: "International Conference on Space Optics (ICSO 2014)", 07/10/2014 - 10/10/2014, Tenerife, Canary Islands, Spain. pp. 1-8.

Descripción

Título: Monolithic master oscillator power amplifier at 1.58 µm for lidar measurements
Autor/es:
  • Vilera Suárez, Mariafernanda
  • Krakowski, M.
  • Robert, Y.
  • Vinet, E.
  • Primiani, P.
  • Le Goëc, J.P.
  • Parillaud, O.
  • van Dijk, F.
  • Vilera, M.
  • Consoli Barone, Antonio
  • Garcia Tijero, Jose Manuel
  • Esquivias Moscardo, Ignacio
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: International Conference on Space Optics (ICSO 2014)
Fechas del Evento: 07/10/2014 - 10/10/2014
Lugar del Evento: Tenerife, Canary Islands, Spain
Título del Libro: International Conference on Space Optics (ICSO 2014)
Fecha: 2014
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Fotónica y Bioingeniería
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Nowadays the interest in high power semiconductor devices is growing for applications such as telemetry, lidar system or free space communications. Indeed semiconductor devices can be an alternative to solid state lasers because they are more compact and less power consuming. These characteristics are very important for constrained and/or low power supply environment such as airplanes or satellites. Lots of work has been done in the 800-1200 nm range for integrated and free space Master Oscillator Power Amplifier (MOPA) [1]-[3]. At 1.5 ?m, the only commercially available MOPA is from QPC [4]: the fibred output power is about 700 mW and the optical linewidth is 500 kHz. In this paper, we first report on the simulations we have done to determine the appropriate vertical structure and architecture for a good MOPA at 1.58 ?m (section II). Then we describe the fabrication of the devices (section III). Finally we report on the optical and electrical measurements we have done for various devices (section IV).

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7313200BRITESPACEUNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRIDHigh Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation

Más información

ID de Registro: 37487
Identificador DC: http://oa.upm.es/37487/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:37487
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 15 Sep 2015 17:08
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 17:08
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