Study of a-Si crystallization dependence on power and irradiation time using a CW green laser

Morales Furió, Miguel; Muñoz Martín, David; Chen, Yu; Garcia Garcia, Oscar; García-Ballesteros Ramírez, Juan José; Carabe, J.; Gandía, J. J. y Molpeceres Álvarez, Carlos Luis (2014). Study of a-Si crystallization dependence on power and irradiation time using a CW green laser. En: "Laser-based Micro- and Nanoprocessing VIII", March 6, 2014, San Francisco EE.UU.. ISBN 9780819498816. pp. 1-10.

Descripción

Título: Study of a-Si crystallization dependence on power and irradiation time using a CW green laser
Autor/es:
  • Morales Furió, Miguel
  • Muñoz Martín, David
  • Chen, Yu
  • Garcia Garcia, Oscar
  • García-Ballesteros Ramírez, Juan José
  • Carabe, J.
  • Gandía, J. J.
  • Molpeceres Álvarez, Carlos Luis
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: Laser-based Micro- and Nanoprocessing VIII
Fechas del Evento: March 6, 2014
Lugar del Evento: San Francisco EE.UU.
Título del Libro: Proc. SPIE 8968, Laser-based Micro- and Nanoprocessing VIII
Fecha: 25 Marzo 2014
ISBN: 9780819498816
Volumen: 8968
Materias:
Palabras Clave Informales: amorphous silicon, polycrystalline silicon, crystallization, annealing, laser, simulation
Escuela: E.T.S.I. Industriales (UPM)
Departamento: Física Aplicada e Ingeniería de Materiales
Licencias Creative Commons: Ninguna

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Resumen

An advantage of laser crystallization over conventional heating methods is its ability to limit rapid heating and cooling to thin surface layers. Laser energy is used to heat the a-Si thin film to change the microstructure to poly-Si. Thin film samples of a-Si were irradiated with a CW-green laser source. Laser irradiated spots were produced by using different laser powers and irradiation times. These parameters are identified as key variables in the crystallization process. The power threshold for crystallization is reduced as the irradiation time is increased. When this threshold is reached the crystalline fraction increases lineally with power for each irradiation time. The experimental results are analysed with the aid of a numerical thermal model and the presence of two crystallization mechanisms are observed: one due to melting and the other due to solid phase transformation.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaENE2011-23359SIMLASPVSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaIPT-420000-2010-6INNDISOLSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaENE2010- 21384-C04-02AMICSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 37624
Identificador DC: http://oa.upm.es/37624/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:37624
URL Oficial: http://spie.org/Publications/Proceedings/Volume/8968
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Mar 2016 16:36
Ultima Modificación: 21 Ago 2017 11:51
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