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ORCID: https://orcid.org/0000-0003-0552-2169, Aseev, Pavel, Soto Rodríguez, Paul, Kumar, Praveen, Calleja Pardo, Enrique
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-3686-8982, Nötzel, Richard and Sánchez García, Miguel Ángel
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-1494-9351
(2014).
XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire.
En: "International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)", 24/08/2014 - 29/08/2014, Wroclaw, Poland. p. 1.
| Título: | XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire |
|---|---|
| Autor/es: |
|
| Tipo de Documento: | Ponencia en Congreso o Jornada (Póster) |
| Título del Evento: | International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014) |
| Fechas del Evento: | 24/08/2014 - 29/08/2014 |
| Lugar del Evento: | Wroclaw, Poland |
| Título del Libro: | International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014) |
| Fecha: | 2014 |
| Materias: | |
| ODS: | |
| Escuela: | E.T.S.I. Telecomunicación (UPM) |
| Departamento: | Otro |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
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The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) is a biennial academic conference in the field of group III nitride research. The IWN and the International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) are held in alternating years and cover similar subject areas.
| ID de Registro: | 38905 |
|---|---|
| Identificador DC: | https://oa.upm.es/38905/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:38905 |
| Depositado por: | Memoria Investigacion |
| Depositado el: | 23 Dic 2015 18:51 |
| Ultima Modificación: | 06 Jun 2016 18:51 |
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