XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire

Gómez Hernández, Víctor Jesús; Gacevic, Zarko; Aseev, Pavel; Soto Rodríguez, Paul; Kumar, Praveen; Calleja Pardo, Enrique; Nötzel, Richard y Sánchez García, Miguel Ángel (2014). XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire. En: "International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)", 24/08/2014 - 29/08/2014, Wroclaw, Poland. p. 1.

Descripción

Título: XRD analysis of InGaN uniform layers grown on Si (111) without any buffer layers and on Sapphire
Autor/es:
  • Gómez Hernández, Víctor Jesús
  • Gacevic, Zarko
  • Aseev, Pavel
  • Soto Rodríguez, Paul
  • Kumar, Praveen
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Nötzel, Richard
  • Sánchez García, Miguel Ángel
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Póster)
Título del Evento: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
Fechas del Evento: 24/08/2014 - 29/08/2014
Lugar del Evento: Wroclaw, Poland
Título del Libro: International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN2014)
Fecha: 2014
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN) is a biennial academic conference in the field of group III nitride research. The IWN and the International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS) are held in alternating years and cover similar subject areas.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaMAT2011-26703Sin especificarSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 38905
Identificador DC: http://oa.upm.es/38905/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:38905
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 23 Dic 2015 18:51
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 18:51
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