Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP

Almendra Sánchez, Alberto (2001). Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP. Thesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Description

Title: Cinética de crecimiento de Siliciuro de Iridio mediante RTP
Author/s:
  • Almendra Sánchez, Alberto
Contributor/s:
  • Rodríguez Rodríguez, Tomás
Item Type: Thesis (Doctoral)
Date: 4 December 2001
Subjects:
Freetext Keywords: Siliciuro, iridio, RTA, RTP, difusión, silicidación, cinética de crecimiento, velocidad de crecimiento, velocisdad de reacción, detectores de infrarrojo, tecnología de silicio, tratamiento térmico rápido.
Faculty: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Department: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Creative Commons Licenses: Recognition - No derivative works - Non commercial

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Abstract

El objetivo de esta Tesis es caracterizar el crecimiento de los siliciuros de iridio en capa delgada obtenidos mediante procesamiento térmico rápido (RTP), con el fin de determinar los compuestos obtenidos y la cinética de crecimiento de los mismos. Aunque la utilización del RTP para la obtención de los siliciuros de iridio es un método pionero, a partir de los resultados publicados en la literatura para otros tipos de tratamiento térmico, se plantean como puntos críticos la utilización de un material de partida libre de contaminación con oxígeno y un control exhaustivo de la temperatura y tiempo de tratamiento térmico, así como de la atmósfera donde se lleva a cabo el proceso de silicidación. En el desarrollo de este trabajo se han definido rutinas de deposito del iridio y de tratamientos térmicos mediante RTP, que han garantizado que no se produce la contaminación con oxígeno. Aplicando diversas técnicas de caracterización (RBS, TEM, Espectroscopía Auger, XRD, SIMS, XES y Espectroscopía Raman) a un conjunto de muestras de diferentes espesores iniciales y sometidos a tratamientos térmicos a distintas temperaturas y tiempos de proceso, ha sido posible identificar las diferentes fases que se forman para el sistema iridio/silicio, determinar las propiedades morfológicas de las capas crecidas,sus espesores y las características de las interfases. Los resultados obtenidos han puesto de manifiesto cual es la secuencia de formación de los siliciuros de iridio en capa delgada obtenidos por RTP, cuales son las fases que se forman, y, mediante la aplicación de un modelo, ha sido posible obtener la cinética de crecimiento de las diferentes fases y así extraer los parámetros relevantes del proceso de formación, como son, las constantes de difusión del silicio en el IrSi y el IrSi1.75 y las constantes de reacción para la formación de estos compuestos.

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Item ID: 407
DC Identifier: http://oa.upm.es/407/
OAI Identifier: oai:oa.upm.es:407
Deposited by: Dr. A. Almendra
Deposited on: 20 Jun 2007
Last Modified: 20 Apr 2016 06:16
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