Analysis of perimeter recombination in the subcells of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells

Espinet González, Pilar; Rey-Stolle Prado, Ignacio; Ochoa Gómez, Mario; Algora del Valle, Carlos; García Vara, Iván y Barrigón Montañés, Enrique (2015). Analysis of perimeter recombination in the subcells of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells. "Progress in Photovoltaics", v. 23 (n. 7); pp. 874-882. ISSN 1062-7995. https://doi.org/10.1002/pip.2501.

Descripción

Título: Analysis of perimeter recombination in the subcells of GaInP/GaAs/Ge triple-junction solar cells
Autor/es:
  • Espinet González, Pilar
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • Ochoa Gómez, Mario
  • Algora del Valle, Carlos
  • García Vara, Iván
  • Barrigón Montañés, Enrique
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics
Fecha: 2015
Volumen: 23
Materias:
Palabras Clave Informales: Perimeter; recombination; CPV; concentration; multijunction; solar cells; photovoltaics
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

This paper studies the recombination at the perimeter in the subcells that constitute a GaInP/GaAs/Ge lattice-matched triple-junction solar cell. For that, diodes of different sizes and consequently different perimeter/area ratios have been manufactured in single-junction solar cells resembling the subcells in a triple-junction solar cell. It has been found that neither in GaInP nor in Ge solar cells the recombination at the perimeter is significant in devices as small as 500 μm × 500μm(2.5 ⋅ 10 − 3 cm2) in GaInP and 250μm  × 250μm (6.25 ⋅ 10 − 4cm2) in Ge. However, in GaAs, the recombination at the perimeter is not negligible at low voltages even in devices as large as 1cm2, and it is the main limiting recombination factor in the open circuit voltage even at high concentrations in solar cells of 250 μm  × 250μm (6.25 ⋅ 10 − 4 cm2) or smaller. Therefore, the recombination at the perimeter in GaAs should be taken into account when optimizing triple-junction solar cells.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7283798NGCPVUNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRIDA new generation of concentrator photovoltaic cells, modules and systems
Comunidad de MadridS2009/ENE1477Sin especificarSin especificarSin especificar
Gobierno de EspañaIPT-2011-1441-920000Sin especificarSin especificarSin especificar
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Más información

ID de Registro: 40786
Identificador DC: http://oa.upm.es/40786/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40786
Identificador DOI: 10.1002/pip.2501
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2501/abstract
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 06 Jun 2016 18:33
Ultima Modificación: 06 Jun 2016 18:33
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