Stranski-Krastanov InN/InGaN quantum dots grown directly on Si(111)

Soto Rodríguez, Paul; Aseev, Pavel; Gómez Hernández, Víctor Jesús; Ul Hassan Alvi, Naveed; Calleja Pardo, Enrique; Manuel, José M.; Morales Sánchez, Francisco Miguel; Kumar, Praveen; Jiménez, Juan J.; García, Rafael; Senichev, Alexander; Lienau, Christoph y Nötzel, Richard (2015). Stranski-Krastanov InN/InGaN quantum dots grown directly on Si(111). "Applied Physics Letters", v. 106 (n. 2); pp.. ISSN 0003-6951. https://doi.org/10.1063/1.4905662.

Descripción

Título: Stranski-Krastanov InN/InGaN quantum dots grown directly on Si(111)
Autor/es:
  • Soto Rodríguez, Paul
  • Aseev, Pavel
  • Gómez Hernández, Víctor Jesús
  • Ul Hassan Alvi, Naveed
  • Calleja Pardo, Enrique
  • Manuel, José M.
  • Morales Sánchez, Francisco Miguel
  • Kumar, Praveen
  • Jiménez, Juan J.
  • García, Rafael
  • Senichev, Alexander
  • Lienau, Christoph
  • Nötzel, Richard
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Physics Letters
Fecha: Febrero 2015
Volumen: 106
Materias:
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The authors discuss and demonstrate the growth of InN surface quantum dots on a high-In-content In0.73Ga0.27N layer, directly on a Si(111) substrate by plasma-assisted molecular beam epitaxy. Atomic force microscopy and transmission electron microscopy reveal uniformly distributed quantum dots with diameters of 10–40 nm, heights of 2–4 nm, and a relatively low density of ∼7 × 109 cm−2. A thin InN wetting layer below the quantum dots proves the Stranski-Krastanov growth mode. Near-field scanning optical microscopy shows distinct and spatially well localized near-infrared emission from single surface quantum dots. This holds promise for future telecommunication and sensing devices.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7280879-2CRONOSSin especificarSin especificar

Más información

ID de Registro: 40802
Identificador DC: http://oa.upm.es/40802/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40802
Identificador DOI: 10.1063/1.4905662
URL Oficial: http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/106/2/10.1063/1.4905662
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 05 Sep 2016 16:33
Ultima Modificación: 05 Sep 2016 16:33
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