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Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars
Cita
Albert, Steven, Bengoechea Encabo, Ana, Ledig, Johannes, Schimpke, Tilman, Sánchez García, Miguel Ángel 
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-1494-9351, Strassburg, Martin, Waag, Andreas and Calleja Pardo, Enrique ORCID: https://orcid.org/0000-0002-3686-8982
(2015).
Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars.
"Crystal Growth & Design", v. 15
(n. 8);
pp. 3661-3665.
ISSN 1528-7483.
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00235.
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-1494-9351, Strassburg, Martin, Waag, Andreas and Calleja Pardo, Enrique ORCID: https://orcid.org/0000-0002-3686-8982
(2015).
Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars.
"Crystal Growth & Design", v. 15
(n. 8);
pp. 3661-3665.
ISSN 1528-7483.
https://doi.org/10.1021/acs.cgd.5b00235.
Descripción
| Título: | Demonstration of (In, Ga)N/GaN Core-Shell Micro Light-Emitting Diodes Grown by Molecular Beam Epitaxy on Ordered MOVPE GaN Pillars |
|---|---|
| Autor/es: |
|
| Tipo de Documento: | Artículo |
| Título de Revista/Publicación: | Crystal Growth & Design |
| Fecha: | 2015 |
| ISSN: | 1528-7483 |
| Volumen: | 15 |
| Número: | 8 |
| Materias: | |
| ODS: | |
| Escuela: | Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM) |
| Departamento: | Otro |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
This work reports on the growth of (In, Ga)N core−shell micro pillars by plasma-assisted molecular beam epitaxy using an ordered array of GaN cores grown by metal organic vapor phase epitaxy as a template. Upon (In, Ga)N growth, core−shell structures with emission at around 3.0 eV are formed. Further, the fabrication of a core−shell pin structure is demonstrated.
Proyectos asociados
Tipo
Código
Acrónimo
Responsable
Título
FP7
280694-2
GECCO
Sin especificar
3D GaN for High Efficiency Solid State Lighting
Comunidad de Madrid
P2009/ESP-1503
Sin especificar
Sin especificar
Nanodispositivos eficientes de luz clásica y cuántica (Q&CLight)
Gobierno de España
MAT2011-26703
Sin especificar
Sin especificar
Células solares de InGaN mejoradas con plasmones superficiales y fabricadas por MBE sobre sustratos de silicio y capas de GaN
Más información
| ID de Registro: | 40858 |
|---|---|
| Identificador DC: | https://oa.upm.es/40858/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:40858 |
| URL Portal Científico: | https://portalcientifico.upm.es/es/ipublic/item/5492017 |
| Identificador DOI: | 10.1021/acs.cgd.5b00235 |
| URL Oficial: | http://pubs.acs.org/doi/abs/10.1021/acs.cgd.5b0023... |
| Depositado por: | Memoria Investigacion |
| Depositado el: | 06 Sep 2016 16:53 |
| Ultima Modificación: | 12 Nov 2025 00:00 |
Acciones
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