Implications of low breakdown voltage of component subcells on external quantum efficiency measurements of multijunction solar cells

Barrigón Montañés, Enrique; Espinet González, Pilar; Contreras, Yedileth y Rey-Stolle Prado, Ignacio (2015). Implications of low breakdown voltage of component subcells on external quantum efficiency measurements of multijunction solar cells. "Progress in Photovoltaics", v. 23 (n. 11); pp. 1597-1607. ISSN 1062-7995. https://doi.org/10.1002/pip.2597.

Descripción

Título: Implications of low breakdown voltage of component subcells on external quantum efficiency measurements of multijunction solar cells
Autor/es:
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Espinet González, Pilar
  • Contreras, Yedileth
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Progress in Photovoltaics
Fecha: Noviembre 2015
Volumen: 23
Materias:
Palabras Clave Informales: Ge subcell; breakdown voltage; external quantum efficiency; multijunction solar cells
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The electrical and optical coupling between subcells in a multijunction solar cell affects its external quantum efficiency (EQE) measurement. In this study, we show how a low breakdown voltage of a component subcell impacts the EQE determination of a multijunction solar cell and demands the use of a finely adjusted external voltage bias. The optimum voltage bias for the EQE measurement of a Ge subcell in two different GaInP/GaInAs/Ge triple-junction solar cells is determined both by sweeping the external voltage bias and by tracing the I–V curve under the same light bias conditions applied during the EQE measurement. It is shown that the I–V curve gives rapid and valuable information about the adequate light and voltage bias needed, and also helps to detect problems associated with non-ideal I–V curves that might affect the EQE measurement. The results also show that, if a non-optimum voltage bias is applied, a measurement artifact can result. Only when the problems associated with a non-ideal I–V curve and/or a low breakdown voltage have been discarded, the measurement artifacts, if any, can be attributed to other effects such as luminescent coupling between subcells.

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ID de Registro: 40866
Identificador DC: http://oa.upm.es/40866/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40866
Identificador DOI: 10.1002/pip.2597
URL Oficial: http://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/pip.2597/abstract;jsessionid=EDED821223570CC20693BD6458752306.f02t02
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Sep 2016 18:01
Ultima Modificación: 01 Dic 2016 23:30
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