Electrocatalytic oxidation enhancement at the surface of InGaN films and nanostructures grown directly on Si(111)

Soto Rodriguez, Paul Eduardo David; Calderón Nash, Verónica; Aseev, Pavel; Gómez Hernández, Victor Jesús; Kumar, Praveen; Ul Hassan Alvi, Naveed; Sánchez, Alfredo; Villalonga, Reynaldo; Pingarrón, José M. y Nöetzel, Richard (2015). Electrocatalytic oxidation enhancement at the surface of InGaN films and nanostructures grown directly on Si(111). "Electrochemistry Communications", v. 60 ; pp. 158-162. ISSN 1388-2481. https://doi.org/10.1016/j.elecom.2015.09.003.

Descripción

Título: Electrocatalytic oxidation enhancement at the surface of InGaN films and nanostructures grown directly on Si(111)
Autor/es:
  • Soto Rodriguez, Paul Eduardo David
  • Calderón Nash, Verónica
  • Aseev, Pavel
  • Gómez Hernández, Victor Jesús
  • Kumar, Praveen
  • Ul Hassan Alvi, Naveed
  • Sánchez, Alfredo
  • Villalonga, Reynaldo
  • Pingarrón, José M.
  • Nöetzel, Richard
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Electrochemistry Communications
Fecha: Noviembre 2015
Volumen: 60
Materias:
Palabras Clave Informales: InGaN; InN; Quantum dots; Nanocolumns; Nanowall network; Cyclic voltammetry
Escuela: Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM)
Departamento: Otro
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Pronounced electrocatalytic oxidation enhancement at the surface of InGaN layers and nanostructures directly grown on Si by plasma-assisted molecular beam epitaxy is demonstrated. The oxidation enhancement, probed with the ferro/ferricyanide redox couple increases with In content and proximity of nanostructure surfaces and sidewalls to the c-plane. This is attributed to the corresponding increase of the density of intrinsic positively charged surface donors promoting electron transfer. Strongest enhancement is for c-plane InGaN layers functionalized with InN quantum dots (QDs). These results explain the excellent performance of our InN/InGaN QD biosensors and water splitting electrodes for further boosting efficiency.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Gobierno de EspañaCTQ2014-58989-PSin especificarMinisterio de Economía y CompetitividadSin especificar

Más información

ID de Registro: 40907
Identificador DC: http://oa.upm.es/40907/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:40907
Identificador DOI: 10.1016/j.elecom.2015.09.003
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S1388248115002477
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Sep 2016 16:34
Ultima Modificación: 01 Dic 2016 23:30
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