LIDAR System based on a High Brightness Semiconductor Laser and Single Photon Counting Detection for Space -borne Atmospheric CO2 Monitoring

Esquivias Moscardo, Ignacio; Pérez Serrano, Antonio; Garcia Tijero, Jose Manuel; Faugeron, M.; Krakowski, M.; van Dijk, F.; Kochem, G.; Traub, M.; Adamiec, Pawel; Barbero, Juan; Ai, Xiao; Rarity, John; Quatrevalet, Mathieu y Ehret, Gerhard (2015). LIDAR System based on a High Brightness Semiconductor Laser and Single Photon Counting Detection for Space -borne Atmospheric CO2 Monitoring. En: "9 ª Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL’15)", 13/07/2015 - 15/07/2015, Salamanca, Spain. pp. 1-5.

Descripción

Título: LIDAR System based on a High Brightness Semiconductor Laser and Single Photon Counting Detection for Space -borne Atmospheric CO2 Monitoring
Autor/es:
  • Esquivias Moscardo, Ignacio
  • Pérez Serrano, Antonio
  • Garcia Tijero, Jose Manuel
  • Faugeron, M.
  • Krakowski, M.
  • van Dijk, F.
  • Kochem, G.
  • Traub, M.
  • Adamiec, Pawel
  • Barbero, Juan
  • Ai, Xiao
  • Rarity, John
  • Quatrevalet, Mathieu
  • Ehret, Gerhard
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: 9 ª Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL’15)
Fechas del Evento: 13/07/2015 - 15/07/2015
Lugar del Evento: Salamanca, Spain
Título del Libro: 9 ª Reunión Española de Optoelectrónica (OPTOEL’15)
Fecha: 2015
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Fotónica y Bioingeniería
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

We theoretically investigate a dynamical regime, experimentally observed in monolithically integrated master oscillator power amplifiers emitting at 1.5 7 μm, consisting in large emission wavelength jumps of the device from the Bragg wavelength to that of the gain peak. Our analysis is based on numerical simulations by means of a travelling wave model that incorporates spatial effects such as spatial hole burning and coupled-cavity effects. Thermal effects are included by considering the optical response of the quantum well active medium within the quasi-equilibrium approximation at finite temperature, with a phenomenological description of the redshift of the gain peak and the changes in the background material refractive index by means of self- and cross-heating coefficients for both sections. We find that whereas the thermally-induced index changes are the responsible of the modal jumps between consecutive modes, the carrier-induced refractive index changes are the responsible of the jumps occurring between the Bragg wavelength and the gain peak.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7313200BRITESPACEUNIVERSIDAD POLITECNICA DE MADRIDHigh Brightness Semiconductor Laser Sources for Space Applications in Earth Observation
Gobierno de EspañaTEC2012-38864-C03-02Sin especificarSin especificarTECNICAS DE MEDICION DE DISTANCIAS BASADAS EN LASERES DE SEMICONDUCTOR AVANZADOS-SP1

Más información

ID de Registro: 42612
Identificador DC: http://oa.upm.es/42612/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:42612
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 03 Sep 2016 07:52
Ultima Modificación: 03 Sep 2016 07:52
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