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Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap
Cita
Olea Ariza, Javier; López Estrada, Esther; Antolín Fernández, Elisa; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; García-Hemme, E.; Pastor Pastor, David; García-Hernansanz, R.; Prado, Agustín del y González-Díaz, G. (2016). Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap. "Journal of Physics D: Applied Physics", v. 49 (n. 5); pp.. ISSN 0022-3727. https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/5/055103.
Descripción
| Título: | Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap |
|---|---|
| Autor/es: |
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| Tipo de Documento: | Artículo |
| Título de Revista/Publicación: | Journal of Physics D: Applied Physics |
| Fecha: | Enero 2016 |
| Volumen: | 49 |
| Materias: | |
| Escuela: | Instituto de Energía Solar (IES) (UPM) |
| Departamento: | Electrónica Física |
| Grupo Investigación UPM: | Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
Silicon samples were implanted with high Ti doses and subsequently processed with the pulsed-laser melting technique. The electronic transport properties in the 15-300 K range and the room temperature spectral photoresponse at energies over the bandgap were measured. Samples with Ti concentration below the insulator-metal (I-M) transition limit showed a progressive reduction of the carrier lifetime in the implanted layer as Ti dose is increased. However, when the Ti concentration exceeded this limit, an extraordinary recovery of the photoresponse was measured. This result supports the theory of intermediate band materials and is of utmost relevance for photovoltaic cells and Si-based detectors.
Proyectos asociados
| Tipo | Código | Acrónimo | Responsable | Título |
|---|---|---|---|---|
| Comunidad de Madrid | S2013/MAE-2780 | MADRID-PV | Antonio Martí Vega | Materiales, dispositivos y tecnología para el desarrollo de la Industria fotovoltaica |
| Gobierno de España | TEC2013-41730-R | Sin especificar | Universidad Politécnica de Madrid | Fabricación de dispositivos detectores de infrarrojo próximo mediante si supersaturado con metales de transición |
| Gobierno de España | JCI-2011-10402 | Sin especificar | Sin especificar | Sin especificar |
| Gobierno de España | EX-2010-0662 | Sin especificar | Sin especificar | Sin especificar |
Más información
| ID de Registro: | 43511 |
|---|---|
| Identificador DC: | http://oa.upm.es/43511/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:43511 |
| Identificador DOI: | 10.1088/0022-3727/49/5/055103 |
| URL Oficial: | http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/5/055103/meta;jsessionid=8DE53E1C695B5031713DC5934B7FCB0D.c4.iopscience.cld.iop.org |
| Depositado por: | Prof. Antonio Martí Vega |
| Depositado el: | 07 Oct 2016 12:26 |
| Ultima Modificación: | 15 Mar 2019 18:30 |
