Texto completo
Vista Previa |
PDF (Portable Document Format)
- Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (1MB) | Vista Previa |
Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap
Cita
Olea Ariza, Javier, López Estrada, Esther 
ORCID: https://orcid.org/0000-0003-4256-9329, Antolín Fernández, Elisa ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5220-2849, Martí Vega, Antonio ORCID: https://orcid.org/0000-0002-8841-7091, Luque López, Antonio ORCID: https://orcid.org/0000-0002-8357-6413, García-Hemme, E., Pastor Pastor, David, García-Hernansanz, R., Prado, Agustín del and González-Díaz, G.
(2016).
Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap.
"Journal of Physics D: Applied Physics", v. 49
(n. 5);
pp..
ISSN 0022-3727.
https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/5/055103.
ORCID: https://orcid.org/0000-0003-4256-9329, Antolín Fernández, Elisa ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5220-2849, Martí Vega, Antonio ORCID: https://orcid.org/0000-0002-8841-7091, Luque López, Antonio ORCID: https://orcid.org/0000-0002-8357-6413, García-Hemme, E., Pastor Pastor, David, García-Hernansanz, R., Prado, Agustín del and González-Díaz, G.
(2016).
Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap.
"Journal of Physics D: Applied Physics", v. 49
(n. 5);
pp..
ISSN 0022-3727.
https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/5/055103.
Descripción
| Título: | Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap |
|---|---|
| Autor/es: |
|
| Tipo de Documento: | Artículo |
| Título de Revista/Publicación: | Journal of Physics D: Applied Physics |
| Fecha: | Enero 2016 |
| ISSN: | 0022-3727 |
| Volumen: | 49 |
| Número: | 5 |
| Materias: | |
| ODS: | |
| Escuela: | Instituto de Energía Solar (IES) (UPM) |
| Departamento: | Electrónica Física |
| Grupo Investigación UPM: | Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
Silicon samples were implanted with high Ti doses and subsequently processed with the pulsed-laser melting technique. The electronic transport properties in the 15-300 K range and the room temperature spectral photoresponse at energies over the bandgap were measured. Samples with Ti concentration below the insulator-metal (I-M) transition limit showed a progressive reduction of the carrier lifetime in the implanted layer as Ti dose is increased. However, when the Ti concentration exceeded this limit, an extraordinary recovery of the photoresponse was measured. This result supports the theory of intermediate band materials and is of utmost relevance for photovoltaic cells and Si-based detectors.
Proyectos asociados
Tipo
Código
Acrónimo
Responsable
Título
Comunidad de Madrid
S2013/MAE-2780
MADRID-PV
Antonio Martí Vega
Materiales, dispositivos y tecnología para el desarrollo de la Industria fotovoltaica
Gobierno de España
TEC2013-41730-R
Sin especificar
Universidad Politécnica de Madrid
Fabricación de dispositivos detectores de infrarrojo próximo mediante si supersaturado con metales de transición
Gobierno de España
JCI-2011-10402
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Gobierno de España
EX-2010-0662
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Más información
| ID de Registro: | 43511 |
|---|---|
| Identificador DC: | https://oa.upm.es/43511/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:43511 |
| URL Portal Científico: | https://portalcientifico.upm.es/es/ipublic/item/9820620 |
| Identificador DOI: | 10.1088/0022-3727/49/5/055103 |
| URL Oficial: | https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-37... |
| Depositado por: | Prof. Antonio Martí Vega |
| Depositado el: | 07 Oct 2016 12:26 |
| Ultima Modificación: | 12 Nov 2025 00:00 |
Acciones
- Estadísticas
- Exportar cita
- Editar (sólo personal del Archivo)
