Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap

Olea Ariza, Javier; López Estrada, Esther; Antolín Fernández, Elisa; Martí Vega, Antonio; Luque López, Antonio; García-Hemme, E.; Pastor Pastor, David; García-Hernansanz, R.; Prado, A. del y González-Díaz, G. (2016). Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap. "Journal of Physics D: Applied Physics", v. 49 (n. 5); pp.. ISSN 0022-3727. https://doi.org/10.1088/0022-3727/49/5/055103.

Descripción

Título: Room temperature photo-response of titanium supersaturated silicon at energies over the bandgap
Autor/es:
  • Olea Ariza, Javier
  • López Estrada, Esther
  • Antolín Fernández, Elisa
  • Martí Vega, Antonio
  • Luque López, Antonio
  • García-Hemme, E.
  • Pastor Pastor, David
  • García-Hernansanz, R.
  • Prado, A. del
  • González-Díaz, G.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Physics D: Applied Physics
Fecha: Enero 2016
Volumen: 49
Materias:
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Grupo Investigación UPM: Silicio y Nuevos Conceptos para Células Solares
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Silicon samples were implanted with high Ti doses and subsequently processed with the pulsed-laser melting technique. The electronic transport properties in the 15-300 K range and the room temperature spectral photoresponse at energies over the bandgap were measured. Samples with Ti concentration below the insulator-metal (I-M) transition limit showed a progressive reduction of the carrier lifetime in the implanted layer as Ti dose is increased. However, when the Ti concentration exceeded this limit, an extraordinary recovery of the photoresponse was measured. This result supports the theory of intermediate band materials and is of utmost relevance for photovoltaic cells and Si-based detectors.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
Comunidad de MadridS2013/MAE-2780MADRID-PVProf. Antonio Martí VegaMateriales, dispositivos y tecnología para el desarrollo de la Industria fotovoltaica
Gobierno de EspañaTEC2013-41730-RSin especificarUniversidad Politécnica de MadridFabricación de dispositivos detectores de infrarrojo próximo mediante si supersaturado con metales de transición

Más información

ID de Registro: 43511
Identificador DC: http://oa.upm.es/43511/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:43511
Identificador DOI [BETA]: 10.1088/0022-3727/49/5/055103
URL Oficial: http://iopscience.iop.org/article/10.1088/0022-3727/49/5/055103/meta;jsessionid=8DE53E1C695B5031713DC5934B7FCB0D.c4.iopscience.cld.iop.org
Depositado por: Prof. Antonio Martí Vega
Depositado el: 07 Oct 2016 12:26
Ultima Modificación: 07 Ene 2017 23:30
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