Reducing carrier escape in the InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cell

Antolín Fernández, Elisa; Martí Vega, Antonio; Farmer, C.D.; García-Linares Fontes, Pablo; Hernández Martín, Estela; Sanchez, A.M.; Ben, T.; Molina Rubio, Sergio Ignacio; Stanley, Colin y Luque López, Antonio (2010). Reducing carrier escape in the InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cell. "Journal of Applied Physics", v. 108 (n. 6); ISSN 0021-8979. https://doi.org/10.1063/1.3468520.

Descripción

Título: Reducing carrier escape in the InAs/GaAs quantum dot intermediate band solar cell
Autor/es:
  • Antolín Fernández, Elisa
  • Martí Vega, Antonio
  • Farmer, C.D.
  • García-Linares Fontes, Pablo
  • Hernández Martín, Estela
  • Sanchez, A.M.
  • Ben, T.
  • Molina Rubio, Sergio Ignacio
  • Stanley, Colin
  • Luque López, Antonio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Journal of Applied Physics
Fecha: Enero 2010
Volumen: 108
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Intermediate band solar cells (IBSCs) fabricated to date from In(Ga)As/GaAs quantum dot arrays (QD-IBSC) exhibit a quantum efficiency (QE) that extends to below bandgap energies. However, the production of sub-bandgap photocurrent relies often on the thermal and/or tunneling escape of carriers from the QDs, which is incompatible with preservation of the output voltage. In this work, we test the effectiveness of introducing a thick GaAs spacer in addition to an InAlGaAs strain relief layer (SRL) over the QDs to reduce carrier escape. From an analysis of the QE at different temperatures, it is concluded that escape via tunneling can be completely blocked under short-circuit conditions, and that carriers confined in QDs with an InAlGaAs SRL exhibit a thermal escape activation energy over 100 meV larger than in the case of InAs QDs capped only with GaAs.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7211640IBPOWERSin especificarIntermediate Band Materials and Solar Cells for Photovoltaics with High Efficiency and Reduced Cost

Más información

ID de Registro: 7327
Identificador DC: http://oa.upm.es/7327/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:7327
Identificador DOI: 10.1063/1.3468520
URL Oficial: http://jap.aip.org/resource/1/japiau/v108/i6/p064513_s1?isAuthorized=no
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Jun 2011 11:01
Ultima Modificación: 03 Nov 2014 13:34
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