Simulation of high brightness tapered lasers

Esquivias Moscardo, Ignacio; Odriozola Franco, Helena; Garcia Tijero, Jose Manuel; Borruel Navarro, Luis; Minguez, A.M.; Michel, N.; Calligaro, M.; Lecomte, M.; Parillaud, O. y Krakowski, M. (2010). Simulation of high brightness tapered lasers. En: "SPIE Photonics West 2010", 23/06/2010 - 28/06/2010, San Francisco, EEUU.

Descripción

Título: Simulation of high brightness tapered lasers
Autor/es:
  • Esquivias Moscardo, Ignacio
  • Odriozola Franco, Helena
  • Garcia Tijero, Jose Manuel
  • Borruel Navarro, Luis
  • Minguez, A.M.
  • Michel, N.
  • Calligaro, M.
  • Lecomte, M.
  • Parillaud, O.
  • Krakowski, M.
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: SPIE Photonics West 2010
Fechas del Evento: 23/06/2010 - 28/06/2010
Lugar del Evento: San Francisco, EEUU
Título del Libro: Proceedings of SPIE Photonics West 2010
Fecha: 2010
Volumen: 7616
Materias:
Palabras Clave Informales: Semiconductor lasers, High brightness lasers, tapered lasers, modeling, simulation, thermal effects
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Tecnología Fotónica [hasta 2014]
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

Texto completo

[img]
Vista Previa
PDF (Document Portable Format) - Se necesita un visor de ficheros PDF, como GSview, Xpdf o Adobe Acrobat Reader
Descargar (548kB) | Vista Previa

Resumen

Tapered semiconductor lasers have demonstrated both high power and good beam quality, and are of primary interest for those applications demanding high brightness optical sources. The complex non-linear interaction between the optical field and the active material requires accurate numerical simulations to improve the device design and to understand the underlying physics. In this work we present results on the design and simulation of tapered lasers by means of a Quasi- 3D steady-state single-frequency model. The results are compared with experiments on Al-free active region devices emitting at 1060 nm. The performance of devices based on symmetric and asymmetric epitaxial designs is compared and the influence of the design on the beam properties is analyzed. The role of thermal effects on the beam properties is experimentally characterized and analyzed by means of the numerical simulations. Tapered lasers with separate electrical contacts in the straight and tapered sections, based on symmetrical and asymmetrical epitaxial designs are also presented and analyzed

Más información

ID de Registro: 7494
Identificador DC: http://oa.upm.es/7494/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:7494
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 17 Jun 2011 08:22
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 16:38
  • Open Access
  • Open Access
  • Sherpa-Romeo
    Compruebe si la revista anglosajona en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Dulcinea
    Compruebe si la revista española en la que ha publicado un artículo permite también su publicación en abierto.
  • Recolecta
  • e-ciencia
  • Observatorio I+D+i UPM
  • OpenCourseWare UPM