Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III

Monroy Fernández, Eva María (1999). Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III. Tesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Descripción

Título: Desarrollo y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en nitruros del grupo III
Autor/es:
  • Monroy Fernández, Eva María
Director/es:
  • Calle Gómez, Fernando
  • Muñoz Merino, Elias
Tipo de Documento: Tesis (Doctoral)
Fecha: Noviembre 1999
Materias:
Palabras Clave Informales: DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES; TECNOLOGIA DE LAS TELECOMUNICACIONES; TECNOLOGIA DE MATERIALES; RADIACION ULTRAVIOLETA; TECNOLOGIA ELECTRONICA; CIENCIAS TECNOLOGICAS; OPTICA; FISICA;
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Esta tesis doctoral describe la fabricación y caracterización de fotodetectores de radiación ultravioleta basados en capas de AlxGa1-xN (o x 0,35) crecidas sobre zafiro mediante la técnica de epitaxia en fase vapor con precursores metalorgánicos. En primer lugar, se analizan las principales propiedades de los nitruros del grupo III ylos parámetros más importantes que caracterizan el comportamiento de los fotodetectores de semiconductor. Posteriormente, se detallan los distintos tipos de fotodetectores fabricados en este trabajo (fotoconductores, fotodiodos Schottky, fotodiodos metal-semiconductor-metal y fotodiodos de unión p-n y p-i-n), incluyendo sus principales prestaciones y los modelos propuestos para explicar sus comportamiento. Como demostración de su capacidad, se describe la aplicación de estos dispositivos a la detección de la radiación ultravioleta solar. Finalmente, se realiza una comparación de las prestaciones (responsividad, ancho de banda, detectividad) obtenidas para los distintos tipos de detector. Los resultados presentados confirman a las aleaciones de AlxGa1xN como los semiconductores más adecuados para la fotodetección selectiva en el rango ultravioleta del espectro.

Más información

ID de Registro: 806
Identificador DC: http://oa.upm.es/806/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:806
Depositado por: Archivo Digital UPM
Depositado el: 08 Ene 2008
Ultima Modificación: 20 Abr 2016 06:32
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