On the Partial Filling of the Intermediate Band in IB Solar Cells

Luque López, Antonio y Martí Vega, Antonio (2010). On the Partial Filling of the Intermediate Band in IB Solar Cells. "IEEE Transactions on Electron Devices", v. 57 (n. 6); pp. 1201-1207. ISSN 0018-9383. https://doi.org/10.1109/TED.2010.2045681.

Descripción

Título: On the Partial Filling of the Intermediate Band in IB Solar Cells
Autor/es:
  • Luque López, Antonio
  • Martí Vega, Antonio
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: IEEE Transactions on Electron Devices
Fecha: Junio 2010
Volumen: 57
Materias:
Palabras Clave Informales: Intermediate band (IB), quantum dot (QD), solar cell.
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

Based on a generalized model of the Shockley-Read-Hall (SRH) statistics published elsewhere, the effect of the partial filling of the intermediate band (IB) in IB solar cells and the ways of producing it are analyzed, as is its influence on the electron-hole pair generation by subband-gap photons. The differences between cells with the conduction band and the IB thermally coupled and uncoupled are stressed. This paper is oriented toward the explanation of the operation of quantum-dot solar cells, where the IB is formed from electron-confined states but can also be applicable to other IB systems.

Proyectos asociados

TipoCódigoAcrónimoResponsableTítulo
FP7211640IBPOWERSin especificarIntermediate Band Materials and Solar Cells for Photovoltaics with High Efficiency and Reduced Cost

Más información

ID de Registro: 8331
Identificador DC: http://oa.upm.es/8331/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:8331
Identificador DOI: 10.1109/TED.2010.2045681
URL Oficial: http://ieeexplore.ieee.org/xpls/abs_all.jsp?isnumber=5466557&arnumber=5447671&tag=1
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 20 Jul 2011 17:54
Ultima Modificación: 31 Oct 2014 10:15
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