Desarrollo de un Modelo Teórico para la Interpretación de Difractogramas de Rayos X de Alta Resolución

Sanz Hervás, Alfredo (1995). Desarrollo de un Modelo Teórico para la Interpretación de Difractogramas de Rayos X de Alta Resolución. Thesis (Doctoral), E.T.S.I. Telecomunicación (UPM).

Description

Title: Desarrollo de un Modelo Teórico para la Interpretación de Difractogramas de Rayos X de Alta Resolución
Author/s:
  • Sanz Hervás, Alfredo
Contributor/s:
  • Abril Domingo, Evaristo José
Item Type: Thesis (Doctoral)
Date: July 1995
Subjects:
Faculty: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Department: Tecnología Electrónica [hasta 2014]
Creative Commons Licenses: Recognition - No derivative works - Non commercial

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Abstract

En este trabajo se presenta un modelo de cálculo de difractogramas de rayos X aplicable al estudio de estructuras semiconductoras epitaxiales. El cálculo de la curva de reflectividad se realiza mediante la teoría dinámica de Takagi y Taupin en la aproximación de dos ondas, según la cual sólo la onda incidente y una onda difractada forman el campo de onda en el interior del medio cristalino. La formulación miginal de esta teoría prevé que el vector de deformación de la red cristalina puede tener una dirección cualquiera. Sin embargo, en los materiales epitaxiales la deformación sigue una dirección preferente perpendicular a la dirección de crecimiento. Tras incluir esta simplificación en el sistema fundamental de ecuaciones de la teoría dinámica, se obtiene una solución analítica que permite el cálculo mediante ordenador de la curva de reflectividad de cualquier estructura epitaxia

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Item ID: 9593
DC Identifier: http://oa.upm.es/9593/
OAI Identifier: oai:oa.upm.es:9593
Deposited by: Biblioteca ETSI Telecomunicación
Deposited on: 04 Nov 2011 15:20
Last Modified: 20 Apr 2016 17:57
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