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Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology
Cita
Llorens Molina, Juan Antonio, Wewior, L., Cardozo de Oliveira, E.R., Ulloa Herrero, José María 
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5679-372X, Utrilla Lomas, Antonio David, Fernández González, Álvaro de Guzmán ORCID: https://orcid.org/0000-0001-5386-0360, Hierro Cano, Adrián ORCID: https://orcid.org/0000-0002-0414-4920 and Alén Millán, Benito
(2015).
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology.
"Applied Physics Letters", v. 107
(n. 18);
pp..
ISSN 0003-6951.
https://doi.org/10.1063/1.4934841.
ORCID: https://orcid.org/0000-0002-5679-372X, Utrilla Lomas, Antonio David, Fernández González, Álvaro de Guzmán ORCID: https://orcid.org/0000-0001-5386-0360, Hierro Cano, Adrián ORCID: https://orcid.org/0000-0002-0414-4920 and Alén Millán, Benito
(2015).
Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology.
"Applied Physics Letters", v. 107
(n. 18);
pp..
ISSN 0003-6951.
https://doi.org/10.1063/1.4934841.
Descripción
| Título: | Type II InAs/GaAsSb quantum dots: Highly tunable exciton geometry and topology |
|---|---|
| Autor/es: |
|
| Tipo de Documento: | Artículo |
| Título de Revista/Publicación: | Applied Physics Letters |
| Fecha: | Noviembre 2015 |
| ISSN: | 0003-6951 |
| Volumen: | 107 |
| Número: | 18 |
| Materias: | |
| ODS: | |
| Escuela: | Instituto de Sistemas Optoelectrónicos y Microtecnología (ISOM) (UPM) |
| Departamento: | Otro |
| Licencias Creative Commons: | Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial |
Resumen
External control over the electron and hole wavefunctions geometry and topology is investigated in a p-i-n diode embedding a dot-in-a-well InAs/GaAsSb quantum structure with type II band alignment. We find highly tunable exciton dipole moments and largely decoupled exciton recombination and ionization dynamics. We also predicted a bias regime where the hole wavefunction topology changes continuously from quantum dot-like to quantum ring-like as a function of the external bias. All these properties have great potential in advanced electro-optical applications and in the investigation of fundamental spin-orbit phenomena.
Proyectos asociados
Tipo
Código
Acrónimo
Responsable
Título
Gobierno de España
ENE2012-37804-C02-02
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Gobierno de España
TEC2011-29120-C05-04
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Gobierno de España
MAT2013-47102-C2-2-R
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Comunidad de Madrid
S2013/MAE-2780
Sin especificar
Sin especificar
Sin especificar
Más información
| ID de Registro: | 40924 |
|---|---|
| Identificador DC: | https://oa.upm.es/40924/ |
| Identificador OAI: | oai:oa.upm.es:40924 |
| URL Portal Científico: | https://portalcientifico.upm.es/es/ipublic/item/5492510 |
| Identificador DOI: | 10.1063/1.4934841 |
| URL Oficial: | http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/1... |
| Depositado por: | Memoria Investigacion |
| Depositado el: | 07 Sep 2016 16:49 |
| Ultima Modificación: | 12 Nov 2025 00:00 |
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