Size, strain, and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm LEDs and LDs

Ulloa Herrero, José María; Moral, M. del; Montes, M.; Bozkurt, M.; Koenraad, P.M.; Fernández González, Alvaro de Guzmán y Hierro Cano, Adrián (2011). Size, strain, and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm LEDs and LDs. En: "SPIE Photonics West 2011", 25/01/2011 - 27/01/2011, San Francisco, CA, EEUU. pp..

Descripción

Título: Size, strain, and band offset engineering in GaAs(Sb)(N)-capped InAs quantum dots for 1.3 - 1.55 µm LEDs and LDs
Autor/es:
  • Ulloa Herrero, José María
  • Moral, M. del
  • Montes, M.
  • Bozkurt, M.
  • Koenraad, P.M.
  • Fernández González, Alvaro de Guzmán
  • Hierro Cano, Adrián
Tipo de Documento: Ponencia en Congreso o Jornada (Artículo)
Título del Evento: SPIE Photonics West 2011
Fechas del Evento: 25/01/2011 - 27/01/2011
Lugar del Evento: San Francisco, CA, EEUU
Título del Libro: proceecings of SPIE Photonics West 2011
Fecha: 2011
Materias:
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The optical and structural properties of InAs/GaAs quantum dots (QD) are strongly modified through the use of a thin (~ 5 nm) GaAsSb(N) capping layer. In the case of GaAsSb-capped QDs, cross-sectional scanning tunnelling microscopy measurements show that the QD height can be controllably tuned through the Sb content up to ~ 14 % Sb. The increased QD height (together with the reduced strain) gives rise to a strong red shift and a large enhancement of the photoluminescence (PL) characteristics. This is due to improved carrier confinement and reduced sensitivity of the excitonic bandgap to QD size fluctuations within the ensemble. Moreover, the PL degradation with temperature is strongly reduced in the presence of Sb. Despite this, emission in the 1.5 !lm region with these structures is only achieved for high Sb contents and a type-II band alignment that degrades the PL. Adding small amounts of N to the GaAsSb capping layer allows to progressively reduce the QD-barrier conduction band offset. This different strategy to red shift the PL allows reaching 1.5 !lm with moderate Sb contents, keeping therefore a type-I alignment. Nevertheless, the PL emission is progressively degraded when the N content in the capping layer is increased

Más información

ID de Registro: 12945
Identificador DC: http://oa.upm.es/12945/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:12945
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 07 Nov 2012 11:39
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 12:15
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