Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers

Gabás, M.; Palanco, S.; Bijani, S.; Barrigón Montañés, Enrique; Algora del Valle, Carlos; Rey-Stolle Prado, Ignacio; García Vara, Iván y Ramos-Barrado, J.R. (2012). Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers. "Applied Surface Science", v. 258 (n. 20); pp. 8166-8170. ISSN 0169-4332. https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2012.05.015.

Descripción

Título: Analysis of the surface state of epi-ready Ge wafers
Autor/es:
  • Gabás, M.
  • Palanco, S.
  • Bijani, S.
  • Barrigón Montañés, Enrique
  • Algora del Valle, Carlos
  • Rey-Stolle Prado, Ignacio
  • García Vara, Iván
  • Ramos-Barrado, J.R.
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Applied Surface Science
Fecha: Agosto 2012
Volumen: 258
Materias:
Palabras Clave Informales: Germanium wafers; III–V solar cells; Photoelectron spectroscopy
Escuela: Instituto de Energía Solar (IES) (UPM)
Departamento: Electrónica Física
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

The surface state of Ge epi-ready wafers (such as those used on III-V multijunction solar cells) supplied by two different vendors has been studied using X-ray photoemission spectroscopy. Our experimental results show that the oxide layer on the wafer surface is formed by GeO and GeO2. This oxide layer thickness differs among wafers coming from different suppliers. Besides, several contaminants appear on the wafer surfaces, carbon and probably chlorine being common to every wafer, irrespective of its origin. Wafers from one of the vendors show the presence of carbonates at their surfaces. On such wafers, traces of potassium seem to be present too.

Más información

ID de Registro: 16223
Identificador DC: http://oa.upm.es/16223/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:16223
Identificador DOI: 10.1016/j.apsusc.2012.05.015
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0169433212008604
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 28 Jul 2013 08:08
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 16:32
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