Optimization of AlN thin layers on diamond substrates for high frequency SAW resonators

Rodriguez Madrid, Juan; Fuentes Iriarte, Gonzalo; Araujo, Daniel; Villar, María Del Pilar; Williams, Oliver A.; Müller Sebert, W. y Calle Gómez, Fernando (2012). Optimization of AlN thin layers on diamond substrates for high frequency SAW resonators. "Materials letters", v. 66 (n. 1); pp. 339-342. ISSN 0167-577X. https://doi.org/10.1016/j.matlet.2011.09.003.

Descripción

Título: Optimization of AlN thin layers on diamond substrates for high frequency SAW resonators
Autor/es:
  • Rodriguez Madrid, Juan
  • Fuentes Iriarte, Gonzalo
  • Araujo, Daniel
  • Villar, María Del Pilar
  • Williams, Oliver A.
  • Müller Sebert, W.
  • Calle Gómez, Fernando
Tipo de Documento: Artículo
Título de Revista/Publicación: Materials letters
Fecha: Enero 2012
Volumen: 66
Materias:
Palabras Clave Informales: Diamond; AlN sputtering; High frequency; SAW resonators
Escuela: E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento: Ingeniería Electrónica
Licencias Creative Commons: Reconocimiento - Sin obra derivada - No comercial

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Resumen

AlN/diamond heterostructures are very promising for high frequency surface acoustic wave (SAW) resonators. In their design, the thickness of the piezoelectric film is one of the key parameters. On the other hand, the film material quality and, hence, the device performance, also depend on that thickness. In this work, polished microcrystalline diamond substrates have been used to deposit AlN films by reactive sputtering, from 150 nm up to 3 μm thick. A high degree of the c-axis orientation has been obtained in all cases. SAW one port resonators at high frequency have been fabricated on these films with a proper combination of the film thickness and transducer size.

Más información

ID de Registro: 22295
Identificador DC: http://oa.upm.es/22295/
Identificador OAI: oai:oa.upm.es:22295
Identificador DOI: 10.1016/j.matlet.2011.09.003
URL Oficial: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167577X11010196
Depositado por: Memoria Investigacion
Depositado el: 09 Feb 2014 09:09
Ultima Modificación: 21 Abr 2016 14:09
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